專用電子束光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
專用電子束光刻系統(tǒng)這些創(chuàng)新、智能配置的電子束光刻系統(tǒng)可以輕松有效地實(shí)現(xiàn)納米加工。所有 Raith EBL 系統(tǒng)都配備了高精度激光干涉儀平臺(tái)和圖案發(fā)生器，可為您的...
激光 分子束外延系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
激光 分子束外延系統(tǒng)是一種用于物理學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，綜合了脈沖激光沉積和分子束外延的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。它能在高真空、真空條件下實(shí)現(xiàn)原位實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜原子尺...
剝離成形電子束設(shè)備 參考價(jià)：面議
剝離成形電子束設(shè)備：對(duì)于有些金屬，我們很難使用蝕刻(Etching)方式來完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時(shí)，就可以采用 Lift-Off制...
超高真空電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
超高真空電子束蒸鍍?cè)O(shè)備的特征為其真空壓力低于10-8至10-12 Torr，在化學(xué)物理和工程領(lǐng)域十分常見。超高真空環(huán)境對(duì)于科學(xué)研究非常重要，因?yàn)閷?shí)驗(yàn)通常要求，在...
電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
電子束蒸鍍?cè)O(shè)備是一種實(shí)用且高度可靠的系統(tǒng)。我們的系統(tǒng)可針對(duì)量產(chǎn)使用單一坩堝也可以有多個(gè)坩堝來達(dá)到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu)。在基板乘載上我們對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體研究和大型設(shè)備設(shè)計(jì)。單...
電子束蒸鍍 參考價(jià)：面議
電子束蒸鍍?yōu)橐环N物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，其中電子束是由鎢絲所產(chǎn)生的，並受到電場和磁場的驅(qū)動(dòng)而朝向蒸發(fā)材料，並將其材料由固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)以沉積在基板表面上。且該...
多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備廣泛用於各個(gè)領(lǐng)域，而對(duì)於精密系統(tǒng)則需要更嚴(yán)格的規(guī)格，包括光、聲音和電子元件。在單一材料薄膜無法滿足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中，高質(zhì)量多層膜的作用變得...
Thermo Scientifc Helios 5 DualBeam 參考價(jià)：面議
Thermo Scientifc Helios 5 DualBeam憑借其先進(jìn)的聚焦離子束和電子束性能、專有軟件、自動(dòng)化和易用性特征，重新定義了樣品制備和三維表...
具有分辨率的直接激光刻錄機(jī) 參考價(jià)：面議
具有分辨率的直接激光刻錄機(jī)PICOMASTER 是一系列直接激光刻錄機(jī)，可使用單個(gè)激光束創(chuàng)建高分辨率結(jié)構(gòu)。這款多功能、低維護(hù)的激光刻錄機(jī)可為特征和光柵周期提供分...
激光光刻系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
激光光刻系統(tǒng)PICOMASTER 是一系列直接激光刻錄機(jī)，可使用單個(gè)激光束創(chuàng)建高分辨率結(jié)構(gòu)。這款多功能、低維護(hù)的激光刻錄機(jī)可為特征和光柵周期提供分辨率。用戶友好...
大面積 SEM 成像 參考價(jià)：面議
大面積 SEM 成像通過 CAD 形狀提取在大面積和 3D 中拼接 3D SEM 圖像馬賽克
聚焦離子束掃描電鏡系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
聚焦離子束掃描電鏡系統(tǒng)用于以 FIB 為中心的納米加工的 FIB-SEMVELION 是一種用于納米科學(xué)與工程的新型 FIB-SEM 儀器概念。FIB 納米加工...
德國電子束曝光 參考價(jià)：面議
德國電子束曝光主要功能：曝光速度快精度高，可采用大寫場大束流進(jìn)行曝光，適用于科研及小批量生產(chǎn)中使用；自動(dòng)化程度高，除了放樣取樣外，整個(gè)曝光過程只需要編輯曝光的相...
國產(chǎn)電子束光刻 參考價(jià)：面議
國產(chǎn)電子束光刻主要功能：曝光速度快精度高，可采用大寫場大束流進(jìn)行曝光，適用于科研及小批量生產(chǎn)中使用；自動(dòng)化程度高，除了放樣取樣外，整個(gè)曝光過程只需要編輯曝光的相...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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